450mmウエハースの生産設備配置が遅延するかもしれない。

450mmウエハースの生産設備配置が遅延するかもしれない。

450mmファブは2017年〜2018年に登場するだろう。

xbitlabs.com Deployment of 450mm Fabs Likely to Face Delays.450mm Fabs to Be Deployed in 2017 – 2018 [01/25/2011 10:56 PM] by Anton Shilov より。

以下要約。

  • 今から5年後に予定されていた450mm半導体ウエハースの生産設備の可動が10年近く先になるだろう。
  • IC InsightsのアナリストTrevor Yanceyによると、半導体産業は近年の経済状況に大きく影響を受け、450mm関連の投資を減速させ少なくとも2017年〜2018年にずれ込むだろうとのこと。
  • 「450mmの生産設備は確実にユニットあたりの製造コストを下げ、供給量を増やすことができるが、半導体製造設備を供給する企業はこれ以上大口径のウエハースは必要とされていないとしている。半導体製造設備企業は300mmウエハース製造設備への研究開発投資の収益率に納得できず、彼らは450mmウエハースの製造可能な設備開発への投資をためらっており、今後5年間は行うことはありえない。」とPiper JaffrayのアナリストGus RichardはEEtimesで語った。
  • 事実、今後5年間真剣に450mmウエハース製造設備への投資を行っている会社はIntelとSamsung Electronics、Taiwan Semiconductor Manufacturing Company(TSMC)のみである。 たった3社のために莫大な投資を行う会社があるだろうか。それに加えて450mmウエハース製造コストは高すぎて最高効率を要求するため経済性が悪い。Intelなどに450mmウエハースは製造コストが安いということに対する根拠を示すことは難しいだろう。
  • いくつかの工場では450mmウエハースの製造設備を開発段階で所有しているところがある。
  • これから半導体生産設備企業は450mmウエハース関連の研究を行うだろうが、設備企業は研究開発投資の伸びを止めるが、完全には止まらないだろうとVLSI ResearchのチーフエグゼクティブであるG. Dan Hutchesonは語った。

微細化技術に続きウエハース関連投資が縮小傾向というニュース。現在の状況では半導体の需要は伸びないとの判断?

無線USB規格1.1は3mの距離で480Mbpsを実現 – 規格仕様が確定

xbitlabs.com Wireless USB 1.1 Delivers “Key Performance Enhancements”.Wireless USB 1.1 Spec Finally Available [09/30/2010 01:47 PM] by Anton Shilov より。

Wireless USB 1.1は「性能向上目標」に到達する

無線USB1.1のスペックが最終確定に

Anton Shilov
2010年9月30日

Wireless USB(WUSB)策定グループはWireless USB 1.1 規格の策定を完了したとアナウンスした。技術ガイドラインは次世代無線USB製品を市場に届けるための製品開発者向けに提供される。その仕様は当初2008年に提供される予定であったが、結果2年以上遅れた。新しい仕様はより良い性能、低消費電力といくつかの改善をもたらした。

Wireless USB 1.1はWUSB技術に「性能向上目標」を提供し、6GHzよりも上のUWBより高い帯域と周波数となり、現在の一般向け無線USB製品と後方互換性を持つ。無線USBはまた消費電力への効果に対する最適化と簡単に利用できるように進化している。待機時のより低い消費電力によりバッテリ性能を改善し、新しいアソシエーションモデルは近接通信(Near Field Communication – NFC)と代理転送アソシエーションモデルをサポートしており、無線USBデバイスのインストールをより簡単に使いやすくしている。

無線USBは、無線技術による簡便性と有線高速USBのスピードとセキュリティを提供する個人向け無線相互接続技術である。WUSB 3.0は有線USBと後方互換があり、ユーザは127デバイスの接続と現在3メートルで480Mbps、10メートルで110Mbpsを提供する(あと200Mbpsのサポートについてのアナウンスがある)。無線USBはWiMedia Alliance Ultra-wideband Common Radio Platform(UWB)をベースにしている。

「Wireless USB 1.1 仕様策定は無線USB技術の次なるステップである。消費者はPCから手持ちのデバイスに高速で簡単にコンテンツを転送できることを望んでいる。Wireless USB 1.1はロバスト転送、デバイス同士の高速無線接続のソリューションを提供する。」とUSB-IFプレジデント・チェアマンのJeff Ravencraft氏は語った。

Wireless USB 策定グループは7つの企業の参加により構成されている。HP、Intel、LSI Logic、Microsoft、NEC、NXP Semiconductors、Samsung Electronicsである。

GlobalfoudriesとSamsungのIBM製32nmプロセス製造に問題無し – アナリストの製造問題指摘に対して

xbitlabs.com Globalfoundries, Samsung Deny Problems with IBM’s 32nm Fabrication Process. 32nm High-K Gate-First Process Tech Has No Problems, IBM’s Fab Club Says[09/28/2010 10:50 PM] by Anton Shilov より。

GlobalfoudriesとSamsungのIBM製32nmプロセス製造に問題無し

初めての32nm High-K ゲートプロセス技術は問題無しとIBM Fabクラブは語った。
Anton Shilov
2010年9月28日

GlobalfoundriesとSamsung Electronicsの通称「IBM Fabクラブ」のメンバーは、初めての32nmおよび28nmゲートプロセス技術に如何なる問題も発生していないと語った。双方の会社はプロセス技術関連の問題が原因のチップ製造の遅れについて金融アナリストがAMDを介して確認したと主張している内容について否定した。

Barclays Bank所属のアナリストAndrew Luは、High-K メタルゲートファースト技術の最初の採用者が電子的に酸化させた層を積み上げているpMOS(positive tyme Metal Oxiide Semiconductor)で深刻になる温度により電圧のしきい値が変化し、ゲートスタックがまた積み上がってしまうことに関連したいくつかの問題に遭遇していると投資家に少し前に言及したと語った。単独でAMDは、x86コアとGPUが一つになった32nmSOIプロセス技術を採用したコードネーム「Llano」が2011年初旬から中旬にリリースが遅れることを発表した。

「High-Kメタルゲートファーストを採用した最初の半導体についていくつか誤解があるようだ。それらは電圧安定問題も存在せず、最近のプロセス製造と比較しても32nmゲートプロセスは優れた性能を発揮している。我々の32nm High-K/メタルゲートは「Fab1」から早期に製造開始しており、我々は顧客に対し性能に自信を持っており、半導体製造業界における我々の先進的なリーダーシップのポジションを維持している。我々は現在28nm技術の全ての設計を引き受けている。複数の顧客の設計品が既にシリコンチップとして製造しており、より数多くのテストチップがFab1から2010年末に早期リスク製造のプロトタイプ製造を行う。」との文章をGlobalfoundriesが発表した

GlobalfoundriesとIBM Fabクラブとは対照的に、TSMCとIntelはゲートラストのアプローチを使用している。ここ数日のうちに2世代High-Kメタルゲートベースの製品が出荷される。

「思い出してほしいことは、Samsungが2010年6月に32nm低電圧High-Kメタルゲートを我々のSラインで全ての認証に合格したことをアナウンスした。それは1000時間もの高温使用寿命(High Temp Operatiing Life)の定性分析を全て含み、何の問題も発生していない。」とSamsung広報者は語った。

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Llanoの出荷が遅れている理由は何だろう?

DDR3のスポット価格が2ドルに近づく – 今年最大の下げ幅となる

DDR3 spot prices close near US$2 Jessie Shen, DIGITIMES, Taipei [Tuesday 21 September 2010] より。

DDR3のスポット価格が2ドルに近づく

Jessie Shen
2010年9月21日

メインストリームである1Gbit DRAMメモリチップのスポット価格が本日9月21日下落傾向を続けており、1Gbit DDR3メモリが2ドル近くで取引されているという情報をDRAMeXchangeの開示された情報から明らかになった。

ブランドメモリ及び検査済ノーブランドメモリ(effectively tested – eTT)1Gbit DDR3メモリの両方が午後の取引中に平均2.09ドルとなった。その間、ブランド及び検査済ノーブランドの1Gbit DDR2メモリはそれぞれ1.77ドル及び1.83ドルであった。

1066MHz 1Gbit DDR3メモリのスポット価格は今年の3月以来最も速いペースでスライドしたとDigitimes Researchの半導体分野アナリストのNobunaga Chaiはコメントした。この継続的な価格の弱含みは、需要が供給と同じペースで増加していないことを暗にあわらしているとChaiは示した。

Chaiはまたこの第4四半期にDRAM価格の下落圧力があることを認識することが適切であるとサプライヤーの製品増産について警告した。Chaiは2010年の第4四半期に世界的なDRAM供給が需要を上回っていることを予測する以前の報告書を引用した。

サムスン電子の半導体部門社長のOh-Hyun Kwonは、PC市場の成長減速が原因によるDRAMチップの供給過剰は確実であるという最近のレポートを引用した。

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DRAMの価格下落が表面化したか。

サムスンがDDR3メモリを2010年第4四半期から36nmプロセスで大量生産開始 – 20%以上の価格下落を引き起こす?

digitimes.com Samsung to volume produce 2Gb DDR3 using 36nm technology Josephine Lien, Taipei; Jessie Shen, DIGITIMES [Monday 20 September 2010] より。

サムスンが2Gbit DDR3メモリを2010年第4四半期から36nmプロセスで大量生産する

Josephine Lien, Taipei; Jessie Shen, DIGITIMES
2010年9月20日

サムスン電子は2010年の第4四半期から36nmプロセステクノロジを用いて2Gbit DDR3メモリの大量生産を始める準備をしており、日本やアメリカの同業の強豪相手を引き離すためプロセスシュリンクの取り組みを続けている。大量生産は今年の終り頃からと予定しており、その生産設備は2011年第3四半期にはサムスンのDRAM全体の生産数の50%を超えると予測されている。

36nmへの改善は、現在のサムスンの主流なDRAM生産技術である46nmプロセスと比較して30%のコスト削減を達成するだろう。プロセス移行のあと、サムスンの2Gbit DDR3メモリの生産コストは平均1ドルカットされるだろう。

日本のElpida Memoryは63nmプロセスから直接45nmプロセスへ生産設備を移行しており、現在ElpidaのDRAMメモリ生産のメインストリームである。それまでの間Micron Technologyは50nmプロセスから42nmプロセスにシフトしている。

産業筋はサムスンの30nmクラスの生産設備開始は、サムスンの強豪相手により提示された額より低い見積もり価格をベンダーに提供するだろうという懸念を伝えている。それに加え、台湾を拠点としたDRAMメーカはElpidaとMicronからの技術供与を受けて生産を増加させており、価格戦争の可能性を無視することはできない。

DRAMeXchangeによると、DRAMの価格下落はこの第3四半期で13%漸減している。価格は第4四半期にはさらに20%漸減すると予測されており、1Gbit DDR3チップの価格は1.50ドルのレベルまで落ちるだろう。

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4GB DDR3メモリ年末までに価格が下落するの確実だな。

nVidiaのノートPC向けDirectX11対応GPU Geforce GTX400Mシリーズがフルラインナップで登場

anandtech.com NVIDIA 400M: DX11 Top to Bottom Solutions Now Available by Jarred Walton on 9/3/2010 12:02:00 AM より。

4gamer.net NVIDIA,ノートPC向けGPU「GeForce 400M」の新製品7モデルを一挙発表 ライター:宮崎真一 より。

概要として、

  • nVidia Geforce GTX480MはGF100のダウンクロック版。
  • 実際デスクトップ向けGTX465と同じコア数。消費電力(TDP?)は驚異の100W。
  • Optimusテクノロジでアイドル時のGPU消費電力は0Wだそうだが。
NVIDIA High-End 400M Specifications
GeForce GTX 480M GeForce GTX 470M GeForce GTX 460M
Codename GF100 GF104? GF104?
CUDA Cores 352 288 192
Graphics Clock (MHz) 425 535 675
Processor Clock (MHz) 850 1100 1350
Memory Clock (MHZ) 1200 1250 1250
Standard Memory Configuration GDDR5 GDDR5 GDDR5
Memory Interface Width 256-bit 192-bit 192-bit
Memory Bandwidth (GB/sec) 76.8 60 60
SLI Ready Yes Yes Yes

票の出典はanandtech.com

  • 対応技術 : DirectX11, OpenGL 4.0, PhysX, Optimus, CUDA, DirectCompute, OpenCL, H.264/VC1/MPEG2 1080p ハードウエア動画デコード, Blu-ray デコードフル対応。HDMI 1.4a対応。
  • 直接の競合はAMDのMobility Radeon 5800・5700・5600シリーズ。
NVIDIA Performance and Mainstream 400M Specifications
GeForce GT 445M GeForce GT 435M GeForce GT 425M GeForce GT 420M GeForce GT 415M
Codename GF104 and GF106? GF106? GF106? GF106? GF108?
CUDA Cores 144 96 96 96 48
Graphics Clock (MHz) 590 650 560 500 500
Processor Clock (MHz) 1180 1300 1120 1000 1000
Memory Clock (MHZ) 800/1250 800 800 800 800
Standard Memory Configuration DDR3/GDDR5 DDR3 DDR3 DDR3 DDR3
Memory Interface Width 128/192-bit 128-bit 128-bit 128-bit 128-bit
Memory Bandwidth (GB/sec) 25.6/60.0 25.6 25.6 25.6 25.6
SLI Ready No No No No No

票の出典はanandtech.com

  • これらのチップはすべてSLI非対応。
  • とりあえず300Mシリーズ比で平均40%の性能向上を果たしている。
  • Optimus技術を使っている会社はAcer、Asus、Dell、Lenovo、Samsung、Toshibaだが、IntelのSandy Bridgeが登場したら必要なくなる可能性がある。

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どうみてもノートPCに採用できる消費電力じゃないな。AMDのノート向けGPUチップは注文が殺到しているようだが…

SAMSUNG HD154UIが戻ってきた。

4月はじめに故障したHDDが戻ってきた。PCデポのCFD5年保証で、新品交換となった。

早速メインマシンのUbuntu 9.10のPromise Supertrak ex8350に接続して確認。JBODでユニット構成し後は再起動で完了。

どうもSAMSUNGの1TB以上のHDDはモーターやヘッダの機械部分よりコントローラー等の回路部分が弱い印象を受ける。