GlobalfoudriesとSamsungのIBM製32nmプロセス製造に問題無し – アナリストの製造問題指摘に対して

xbitlabs.com Globalfoundries, Samsung Deny Problems with IBM’s 32nm Fabrication Process. 32nm High-K Gate-First Process Tech Has No Problems, IBM’s Fab Club Says[09/28/2010 10:50 PM] by Anton Shilov より。

GlobalfoudriesとSamsungのIBM製32nmプロセス製造に問題無し

初めての32nm High-K ゲートプロセス技術は問題無しとIBM Fabクラブは語った。
Anton Shilov
2010年9月28日

GlobalfoundriesとSamsung Electronicsの通称「IBM Fabクラブ」のメンバーは、初めての32nmおよび28nmゲートプロセス技術に如何なる問題も発生していないと語った。双方の会社はプロセス技術関連の問題が原因のチップ製造の遅れについて金融アナリストがAMDを介して確認したと主張している内容について否定した。

Barclays Bank所属のアナリストAndrew Luは、High-K メタルゲートファースト技術の最初の採用者が電子的に酸化させた層を積み上げているpMOS(positive tyme Metal Oxiide Semiconductor)で深刻になる温度により電圧のしきい値が変化し、ゲートスタックがまた積み上がってしまうことに関連したいくつかの問題に遭遇していると投資家に少し前に言及したと語った。単独でAMDは、x86コアとGPUが一つになった32nmSOIプロセス技術を採用したコードネーム「Llano」が2011年初旬から中旬にリリースが遅れることを発表した。

「High-Kメタルゲートファーストを採用した最初の半導体についていくつか誤解があるようだ。それらは電圧安定問題も存在せず、最近のプロセス製造と比較しても32nmゲートプロセスは優れた性能を発揮している。我々の32nm High-K/メタルゲートは「Fab1」から早期に製造開始しており、我々は顧客に対し性能に自信を持っており、半導体製造業界における我々の先進的なリーダーシップのポジションを維持している。我々は現在28nm技術の全ての設計を引き受けている。複数の顧客の設計品が既にシリコンチップとして製造しており、より数多くのテストチップがFab1から2010年末に早期リスク製造のプロトタイプ製造を行う。」との文章をGlobalfoundriesが発表した

GlobalfoundriesとIBM Fabクラブとは対照的に、TSMCとIntelはゲートラストのアプローチを使用している。ここ数日のうちに2世代High-Kメタルゲートベースの製品が出荷される。

「思い出してほしいことは、Samsungが2010年6月に32nm低電圧High-Kメタルゲートを我々のSラインで全ての認証に合格したことをアナウンスした。それは1000時間もの高温使用寿命(High Temp Operatiing Life)の定性分析を全て含み、何の問題も発生していない。」とSamsung広報者は語った。

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Llanoの出荷が遅れている理由は何だろう?

Globalfoundriesが工場最初の28nm HKMG使用のARMチップをテープアウトした

xbitlabs.com  Globalfoundries Tapes Out Industry’s First 28nm Chip.Globalfoundries Tapes Out 28nm ARM Cortex A9 Qualification Vehicle [09/02/2010 12:01 PM] by Anton Shilov より。

概要として、

  • GTC2010で、Globalfoundries(以下GloFo)は28nm High-K Metal Gate(HKMG)技術を利用したARM Cortex A9デュアルプロセッサをベースにしたQualification Vehicleをテープアウトしたとアナウンスした。
  • Tecnology Qualification Vehicle(TQV)とは次世代デュアルコアARMプロセッサをベースとした顧客の設計した28nm HKMGプロセス製造に最適化されている。
  • GloFoの設計可用性シニアバイスプレジデントのMojy Chianは「これは小型携帯端末から高性能有線接続機器に渡る範囲の次世代製品において28nmプロセスの大量生産及び技術的リーダーシップを得る上で大変意義のあるマイルストーンである。」と語った。
  • TQVは2010年8月にドイツドレスデンのFab1にてテープアウトされ、それは去年のARMとの戦略的コラボレーションの一環である。
  • シリコンは2010年末には工場から出荷されると予想される。
  • TQVはARM Cortex A9のIPを最大限活用し最適化され、標準的な携帯電話向けライブラリ、L1及び別の場所に置かれた高密度メモリとの高速キャッシュメモリマクロをすべて含む。
  • それは何時でもSystem on Chip(SoC)のような製品のエミュレート可能で、最高動作周波数の分析や設計サイクル間の短時間のターンアラウンドを実現する。
  • A complete range of design for testability(DFT)はCortex A9とSillicon Spiceとのクリティカルパスな相互接続製やギガヘルツの速度でのメモリキャッシュのビットマッピングを可能にする。
  • TQVはGloFoの高性能有線機器向けの28nm High Performance(HP)技術をベースにしている。
  • このコラボレーションは高性能有線及び無線携帯端末機器向け及び消費電力量に敏感な携帯端末や一般向け機器のための超低消費電力技術(Super Low Power:SLP)の28nm High Performance Plus(HPP)技術を含んでいる。
  • 「この工場はこれらの改善されたプロセス技術を有し、設計と製造の間を密にするコラボレーションに必要な成長である。私たちのパートナーシップは顧客に迅速に28nm HKMG技術を利用した高性能、低消費電力のARMベース技術を使用することを可能にするだろう。」とARM社の製造IP部門のエグゼクティブバイスプレジデントのSimon Segarsは語った。

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まあAMDはARMと戦略的コラボレーションを結んでいる(というか顧客だw)から重要だね。

Globalfoudriesは新たな28nmプロセスにHigh-Performance Plus技術を適用する

xbitlabs.com Globalfoundries Adds Another 28nm Fabrication Process to Roadmap.Globalfoundries New 28nm HPP Process to Boost Performance [09/01/2010 03:29 PM] by Anton Shilov より。

Globalfoudriesの新たな28nmプロセスロードマップが発表された

概要として、

  • Globalfoundries(以下GloFo)は従来から28nmプロセス製造についてロードマップを発表していた。
  • GTCで新しい28nmプロセスのロードマップを発表した。
  • High-Performance Plus(HPP)と呼ばれる技術を28nmプロセスに適用することで典型的な28nmプロセスチップより10%性能がアップし2GHzのクロックスピードのチップが製造可能。
  • この新しい技術は成長著しいスマートフォンなどのデバイス向けに向いている。
  • 更に非常に少ないリーク電流のトランジスタからSRAMなど高性能から低消費電力向けまでのデバイスに適用可能。
  • GloFoは2011年第4四半期から製品に適用する予定。
  • それに加えてより高周波な回路で使用できるRF CMOSが28nmHPPで製造可能となり、次世代高性能SoC(System on Chip)設計に貢献する。
  • GloFoの28nmHPP製造プロセスは回路設計の必要無しで製品ラインナップを一新したいという顧客からの要望で開発された。
  • GloFoの28nmHPPはTSMCの28nmHPバージョンと歩留まりとコストは同じだが、従来の消費者は新しい顧客に対応可能な特徴を持つことになる。
  • 新しい28nmHPPはGloFoに高性能有線アプリケーションと消費電力に敏感なモバイル向けや一般消費者向け機器の超消費電力技術となる。
  • すべての28nm技術はHigh-K Metal Gate(HKMG)に最初に採用し、より小さいダイサイズとコストを設計互換性や前世代の技術を利用しながら充分に実現可能になる。
  • GloFoは現在自社の28nmプロセスに適応した設計を探っているところである。複数の顧客の設計図が既にシリコンバレーから飛び出し、たくさんの製品群とIPテストチップがGloFoのドイツドレスデンにあるFab1から認証テストを受けている。

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28nmプロセスと言ってもいくつかのアプローチがあるということか。

半導体製造会社GlobalFoundriesが将来の技術を語る。SemiAccurate.com by Charlie Demerjian氏

semiaccurate.com Global Foundries talks future technologies GTC 2010: 450mm, stacking and diversity by Charlie Demerjian September 1, 2010 より。

GlobalFoundriesが将来の技術を語る。

Grobal Technology Conference 2010 : 450mmウエハース,積層技術そして地理的多様性

by Charlie Demerjian

2010年9月1日

GlobalFoundries(以下GloFo)はGTCと称されるGlobal Technology Conferenceを開催し、自身の会社について少しだけ話始めた。それは何のビッグバンもないが、たくさんの細々したことを大量のスライドと共に話し始めた。

Doug Grouseが最初に話し始め、彼はGloFlがこれまでやってきたいくつかのテクノロジについて話始めた。これらの箇条書きはGlofoが短期〜中期に計画していることを見るための窓である。

最初に話されたことはHigh-k Metal Gates(HKMG)であったが、これは既によく知られている。それはFinFets(集積回路基板上に二つのゲートを持ったトランジスタを非平面に実装する方法)に従っており、GloFoが多くは語らなかったいくつかの事である。一つ彼らは本当にこのルートを通ろうとしているのだろうか不思議に思う必要があり、その事は最近プレス関連には語られなかったが、技術的な進行状況のための信頼のある指標にならない。

それらの技術から、次の2番目は450mmウエハースと3DICs(3次元構造の集積回路)の話であり、それらはほとんどの人々が考えていた一緒に結び付けられるより離れている。450mmウエハースは死んだことについて語られ、我々はすべて知っており愛しているそれは標準的な300mmウエハースよりウエハーあたり2倍の面積がある。3DICsはより興味が惹かれ、このbuzzwordはたくさんの技術をカバーしており、それらの全ては「ダイスタッキング」技術という言葉で記述することが可能である。これはシリコンビア(集積回路で回路同士を接続するための楔)を通して基板接続することが可能であり、様々な問題を解決するかできないかのこれからの技術群の束である。

これが重要であることは携帯電話や小型機器はより一層の性能とより少ない基板面積が求められていることである。もしあなたがスタックされた(積層構造)のDRAMかflashメモリをCPU上に
載せることができたら、より小さな携帯電話を作ることが可能である。GloFoはこの問題に対しとりわけ語ろうとしなかったが、いくつかのワッチャー達には静かすぎた。それはほんの少しの箇条書きで、GloFoはその問題を度外視しているわけではないことをデモした。

その基調講演の最後のキーポイントは、供給の継続性である。GloFoは現在工場群に二つのクラスターをお有し、一つがシンガポールとその他はドイツにある。近い将来、ニューヨークがそのリストに加わる予定であり、GlobalFoudriesを真にグローバルにする。いくつかのバイヤーや政府は地理的に狭い地域に世界中の主要な製造工場が集まっていることについていくらか神経質になっている。一つは常軌を逸した嵐や軍事衝突、または災害が小型機器の部品の世界的な供給に深刻なダメージを与えるからである。もしあなたの会社がこれらのチップに依存しているのなら、これらのことで眠ることができないと思う。

3つの国の3つの工場群と共に、GloFoは単独の問題が彼らの製品今日急に影響を與えることはないと非常に強く主張している。いくつかのバイヤー達は、これは部品価格やGloFoの技術よりも重要な問題であるとしている。GloFoは技術と地理的な多様性を持った真にグローバルな企業となる。

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やはり製品の供給問題がAMD関連の製品の売上拡大の足かせであると認識しているのか。あのIntel Pentium4ですら潤沢な供給量で発熱量などの問題があっても採用されていたからな。