GlobalfoudriesとSamsungのIBM製32nmプロセス製造に問題無し – アナリストの製造問題指摘に対して

xbitlabs.com Globalfoundries, Samsung Deny Problems with IBM’s 32nm Fabrication Process. 32nm High-K Gate-First Process Tech Has No Problems, IBM’s Fab Club Says[09/28/2010 10:50 PM] by Anton Shilov より。

GlobalfoudriesとSamsungのIBM製32nmプロセス製造に問題無し

初めての32nm High-K ゲートプロセス技術は問題無しとIBM Fabクラブは語った。
Anton Shilov
2010年9月28日

GlobalfoundriesとSamsung Electronicsの通称「IBM Fabクラブ」のメンバーは、初めての32nmおよび28nmゲートプロセス技術に如何なる問題も発生していないと語った。双方の会社はプロセス技術関連の問題が原因のチップ製造の遅れについて金融アナリストがAMDを介して確認したと主張している内容について否定した。

Barclays Bank所属のアナリストAndrew Luは、High-K メタルゲートファースト技術の最初の採用者が電子的に酸化させた層を積み上げているpMOS(positive tyme Metal Oxiide Semiconductor)で深刻になる温度により電圧のしきい値が変化し、ゲートスタックがまた積み上がってしまうことに関連したいくつかの問題に遭遇していると投資家に少し前に言及したと語った。単独でAMDは、x86コアとGPUが一つになった32nmSOIプロセス技術を採用したコードネーム「Llano」が2011年初旬から中旬にリリースが遅れることを発表した。

「High-Kメタルゲートファーストを採用した最初の半導体についていくつか誤解があるようだ。それらは電圧安定問題も存在せず、最近のプロセス製造と比較しても32nmゲートプロセスは優れた性能を発揮している。我々の32nm High-K/メタルゲートは「Fab1」から早期に製造開始しており、我々は顧客に対し性能に自信を持っており、半導体製造業界における我々の先進的なリーダーシップのポジションを維持している。我々は現在28nm技術の全ての設計を引き受けている。複数の顧客の設計品が既にシリコンチップとして製造しており、より数多くのテストチップがFab1から2010年末に早期リスク製造のプロトタイプ製造を行う。」との文章をGlobalfoundriesが発表した

GlobalfoundriesとIBM Fabクラブとは対照的に、TSMCとIntelはゲートラストのアプローチを使用している。ここ数日のうちに2世代High-Kメタルゲートベースの製品が出荷される。

「思い出してほしいことは、Samsungが2010年6月に32nm低電圧High-Kメタルゲートを我々のSラインで全ての認証に合格したことをアナウンスした。それは1000時間もの高温使用寿命(High Temp Operatiing Life)の定性分析を全て含み、何の問題も発生していない。」とSamsung広報者は語った。

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Llanoの出荷が遅れている理由は何だろう?

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