メモリ4Gbps時代へと向かう次世代メモリDDR4 接続バス方法が変更

pc.watch.impress.co.jp 後藤弘茂のWeekly海外ニュース メモリ4Gbps時代へと向かう次世代メモリDDR4

semiaccurate.com DDR4 not expected until 2015 Should start in excess of 2.1GHz by Lars-Göran Nilsson August 16, 2010 より。

概要として、

  • DDR3メモリの次世代DDR4メモリは2012年から2,133Mbpsの速度でスタート。
  • そのため2,133Mbpsから4,266Mbps(4.266Gbps)の転送レートを目指す。
  • DDR3メモリもそれに合わせ高クロックにシフトし、1,866Mbps〜2,133Mbpsになる。
  • そのためDDR4メモリの1,600Mbpsはサーバ・デスクトップ共にスルーされる。
  • 接続方法も従来の1チャネルのメモリコントローラに複数DIMMを接続可能なマルチドロップパスから1チャネルに付き1DIMMというポイントツーポイント接続となる。
  • 結果として接続できるDIMMが減ってしまうため、高価なスイッチングコントローラを搭載するかメモリチップの積層化を行う。
  • またDDR4メモリ駆動電圧は1.2Vから始まるが1.1Vや1.05Vも視野に入れている。

半導体チップの積層化(3次元化)はいつもニュースで耳にするが大量生産に対応できるのだろうか?

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